Compact Laser MBE System

Pascal Co., Ltd

Japan Machinery Company предлагает передовое научно-исследовательское оборудование Японских производителей. В частности, современные комплексы вакуумного технологического оборудования для эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

По требованию Заказчика установки могут изготавливаться в нестандартной конфигурации. Технологический тренинг персонала Заказчика включен в базовое коммерческое предложение. В качестве дополнительной услуги поставка оборудования может сопровождаться расширенным технологическим тренингом, включающим разработку и постановку клиент-ориентированных техпроцессов.

Молекулярно-лучевая эпитаксия как технологический процесс проходит в сверхвысоковакуумных камерах и хорошо сочетается с широким спектром методик исследования и контроля, таких, как ВИМС (вторичная ионная масс-спектроскопия), ДМЭ (дифракция медленных электронов), ДБЭ (дифракция быстрых электронов) ОЭС (оже- электронная спектроскопия), эллипсометрия, РФЭС. Глубокий вакуум позволяет осуществлять пред-эпитаксиальную обработку поверхности подложек с использованием ионно-лучевого, ионно-плазменного и лазерного травления.

К большому преимуществу МЛЭ относится также возможность использования ряда прецизионных методов контроля за процессом in situ во время роста слоя. Такие методы, как масс-спектрометрии атмосферы в реакторе, контроль за скоростью роста и составом растущего слоя возможны только в условиях высокого вакуума. Развитая система контроля и управления процессом обеспечивают полную автоматизацию и компьютерное управление ростом слоев.

Все это ведет к созданию качественно новой технологии, способной решать следующие задачи:

  • получение слоев высокой чистоты за счет роста в сверхвысоком вакууме и высокой чистоты исходных компонентов;
  • выращивание сверхтонких многослойных структур с резкими изменениями состава на границах раздела слоев за счет относительно низких температур роста, препятствующих взаимной диффузии;
  • получение гладких бездефектных поверхностей для гетероэпитаксии за счет послойного роста, исключающего возможность зародышеобразования;
  • получение сверхтонких слоев (сверхрешеток) с контролируемой толщиной за счет точности управления потоками исходных компонентов и относительно малых скоростей роста;
  • создание структур со сложным составом и со сложным профилем легирования;
  • создание структур с заданными напряжениями растяжения или сжатия, т.е. локально модифицирующими зонную диаграмму – «зонная инженерия»;
  • обеспечение экологической чистоты процесса.

Брошюры

Брошюра русском языке

Catalog in English




Ask a question
Close

Ask a question


Successfully Thank you for you inquiry! You will receive a reply by e-mail as soon as possible.